温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一实施方式的半导体存储装置具备：第1积层体，在基板上沿垂直于基板的第1方向，交替积层着多层第1电极层与多层第1绝缘层；多层半导体膜，沿第1方向贯通第1积层体；第2积层体，在第1积层体上沿第1方向，交替积层着多层第2电极层与多层第2绝缘层；及...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。