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具有掩埋栅极的半导体器件制造技术
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下载具有掩埋栅极的半导体器件的技术资料
文档序号:32562481
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本发明提供一种半导体器件,该半导体器件包括:包括有源区的衬底、设置在衬底中的栅极沟槽中的栅极结构、设置在衬底上并在栅极结构的一侧电连接到有源区的位线以及设置在位线上并在栅极结构的另一侧电连接到有源区的电容器。栅极结构包括:设置在栅极沟槽的底...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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