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三维半导体存储器装置制造方法及图纸
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文档序号:32561381
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一种三维半导体存储器装置可以包括:单元晶圆,其包括源极板、多条第一字线和多条第二字线,多条第一字线沿着在垂直方向上从源极板的底表面突出的多个第一垂直沟道彼此间隔开地层叠,多条第二字线沿着在垂直方向上从源极板的顶表面突出的多个第二垂直沟道彼此...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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