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本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器及存储系统。其包括：在衬底中形成间隔设置的高压阱区和低压阱区；对应高压阱区形成第一栅极氧化层和对应低压阱区形成第二栅极氧化层于衬底上；分别形成第一栅极和第二栅极于第一栅极氧化层和第二栅...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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