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本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供一种IGBT，能够在降低包括IGBT的半导体器件的泄漏电流的同时处理高速切换。根据一个实施例的半导体器件包括IGBT，该IGBT包括p型集电极层和位错抑制层，p型集电极层在硅衬底的背表面上，位错抑制层用...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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