半导体装置制造方法及图纸资料下载

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文档序号：32524977

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半导体装置具备电荷储存膜、电极、第一阻挡膜以及第二阻挡膜。第一阻挡膜设于电荷储存膜与电极之间。第二阻挡膜设于第一阻挡膜与电荷储存膜之间。此外，第一阻挡膜为包含钽的氧化膜，第一阻挡膜的介电常数比第二阻挡膜的介电常数大。电常数大。电常数大。该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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