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本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。对嵌入至基板上具有开口幅度彼此不同的多个凹部的含氧硅膜进行蚀刻时，提高基板的面内各部的蚀刻量的控制性。一种蚀刻方法，其为向具备开口部的大小彼此不同的多个凹部的基板供给蚀刻气体、对嵌入至前述各凹部的含氧硅膜进行蚀...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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