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本发明的实施方式提供一种电特性得到提升的半导体装置。实施方式的半导体装置具有：衬底，具有第1端子；第1半导体存储芯片，设置在衬底上，具有第1焊垫；第2半导体存储芯片，设置在第1半导体元件上，具有第2焊垫；第1键合线，连接第1端子与第1焊垫；...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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