温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供的三维存储器，电连接层设于衬底的一侧，第一子台阶结构和第二子台阶结构分别设于电连接层的两侧的同时，第一子台阶结构与第二子台阶结构靠近电连接层一侧的尺寸大于背离电连接层一侧的尺寸，极大减小了三维存储器的尺寸；由于第一沟道结构和第二沟...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。