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本申请提供的三维存储器，通过在衬底设置台阶结构，将电连接层内嵌于台阶结构，电连接层的延伸方向与衬底的延伸方向相同，由于第一沟道结构贯穿位于电连接层靠近衬底一侧的台阶结构、第二沟道结构贯穿位于电连接层背离衬底一侧的台阶结构的同时，第一沟道结构...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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