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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法、膜层沉积方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的介质层、以及位于所述介质层中的第一通孔；形成包括掺杂元素的隔离层于所述第一通孔的内壁，所述掺杂元素用于增大...
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