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一种氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法。所述方法包括：在控制温度条件下生长氧化镓晶体，且将氧化镓的生长温度划分成至少两个的温度区间，对每一个温度区间设置不同的生长气氛。本发明的方法将氧化镓单晶制备过程中的温度细分为多个区间，通...
该专利属于北京镓和半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京镓和半导体有限公司授权不得商用。

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