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本发明揭示了一种SGT MOS器件的制造方法，包括：在硅衬底上生长外延层并形成若干元胞沟槽，并形成第一氧化层、屏蔽栅和栅极沟槽；于栅极沟槽底部形成第二氧化层，栅极沟槽内壁形成第三氧化层，并在第二氧化层和第三氧化层上淀积栅极多晶硅，利用第二氧...
该专利属于上海晶岳电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海晶岳电子有限公司授权不得商用。

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