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公开一种半导体器件及其制作方法、NAND存储器件，包括：形成衬底，衬底包括第一有源区以及隔离区；在隔离区与第一沟道区之间形成第一凹槽，第一凹槽部分位于隔离区中，且不贯穿隔离区；形成覆盖第一凹槽和第一沟道区的第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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