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一种半导体器件，包括：衬底，包括沿第一方向的第一区域和第二区域、以及在第一区域和第二区域之间的第三区域；有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第一栅电极至第三栅电极，在有源图案上彼此间隔开并且沿第二方向延伸，第一区域的有源图案包括彼此间隔开...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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