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本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有二栅极结构、一第一导体、一阻障、一第二导体以及多个气隙。该二栅极结构位在一半导体材料基底的一表面上。该第一导体设置在该二栅极结构之间。该阻障设置在该第一导体与该栅极结构之间。...
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