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一种半导体器件包括：衬底，包括存储单元区域和连接区域；多个栅极线，在衬底的存储单元区域中在竖直方向上彼此竖直地重叠，每个栅极线包括第一金属；阶梯状连接单元，在连接区域中，该阶梯状连接单元包括多个导电焊盘区域，每个导电焊盘区域包括第一金属并且...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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