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本公开涉及包括擦除晶体管的非易失性存储装置。该非易失性存储装置包括位线、源极线、单元沟道结构、栅电极结构、擦除沟道结构和擦除选择线。位线设置在单元区域的第一端部处，并沿第一水平方向布置且沿第二水平方向延伸。源极线设置在单元区域的第二端部处并...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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