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本公开的各个实施例针对具有用于良品率改进的沟槽图案的沟槽电容器。沟槽电容器位于衬底上并且包括多个电容器段。电容器段根据沟槽图案延伸到衬底中并且在轴线上以间距隔开。多个电容器段包括位于沟槽电容器的边缘处的边缘电容器段和位于沟槽电容器的中心处的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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