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本发明的课题是提供栅结构简单，并且在一个存储单元中存储４位的信息的非易失性半导体存储器。在半导体衬底表面规定有源区１０１和与其正交的有源区１０２，以夹住交叉区１０３的方式在有源区１０１和有源区１０２内形成扩散区。而且，将栅结构Ｇ↓［Ｎ］形成...
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