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本发明提供一种形成半导体结构或元件的方法。先提供一基底。一栅电极接着形成于该基底上。一源／漏极区形成于该基底。一非晶区形成于该栅电极与该源／漏极区的一上部分。一应力盖层形成于该非晶区上。对该非晶区进行极速退火，并使该非晶区结晶。该应力盖层大...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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