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一种半导体器件，具有：半导体衬底；第一绝缘膜，设置在所述半导体衬底之上；第二绝缘膜，设置在所述第一绝缘膜之上；布线，设置在所述第一绝缘膜中并具有插塞连接部分；插塞，设置在所述第二绝缘膜中并连接到所述插塞连接部分；多个第一虚布线，设置在所述第...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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