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一种半导体装置的制造方法，包括：提供含硅基板；清洁此含硅基板；使用第一来源气体执行第一低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积硅籽晶层于基板上；使用第二来源气体执行第二低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积第一硅锗层于硅籽晶层上，其中第二来源气体包括...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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