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本发明提供一种半导体结构。通过噪声隔离结构将位于衬底上的第一元件区域及第二元件区域隔离。上述噪声隔离结构包括一下沉区域，包围上述第一元件区域；以及一埋置层，其位于上述第一元件区域的下方且连接上述下沉区域；一深防护环，包围上述下沉区域；以及一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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