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本发明提供一种半导体结构及其制造方法，包括：一基板，一核心电路以及一静态随机存取存储器晶胞；其中上述静态随机存取存储器晶胞包括一提升电位Ｐ型金属氧化物半导体晶体管，包括：一第一源／漏极区，位于上述基板中；一第一锗化硅应激物，位于上述基板中，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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