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本发明提供一种半导体结构及金属氧化物半导体元件的制作方法，其中通过在栅电极和源极／漏极上的硅化层选择性地施加应力，进而在该半导体结构的沟道选择性地施加应力。通过将硅化层晶粒的较大尺寸定位于第一方向以及将较小尺寸定位于第二方向以在此硅化层选择...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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