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一种沟槽栅功率半导体器件制造方法技术
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文档序号:3236141
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本发明公开了一种沟槽栅功率半导体器件制造方法。步骤包括:提供基底材料;在基底上形成第一导电类型的外延层;在外延层内形成第二导电类型体区和沟槽;在沟槽形成弱第一导电类型区域和介质层;在具有介质层的沟槽内侧形成导电区域;在第二导电类型区域表面形...
该专利属于哈尔滨工程大学所有,仅供学习研究参考,未经过哈尔滨工程大学授权不得商用。
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