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实施方式提供一种能够降低制造时的负载效应的影响的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置(10)的制造方法包括如下步骤：通过将绝缘层(30)与牺牲层(60)交替地积层而形成被加工部(70)；在被加工部(70)的表面(S11)上形...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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