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包括层间导电接触的半导体器件及其形成方法技术
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文档序号:3234980
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本发明公开了一种包括层间导电接触的半导体器件及其形成方法,其中半导体器件包括:第一绝缘层,在半导体器件的下层接触区域上,第一绝缘层具有上表面;第一导电图案,在穿过第一绝缘层的第一开口中,第一导电图案的上部具有第一宽度,第一导电图案的上表面相...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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