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本发明提供了一种用于使用先进图案膜（ＡＰＦ）刻蚀晶片的方法，其减小了弯曲并提高了底部对顶部比率，其包括：将包括ＡＰＦ层的晶片提供到处理室中，其中处理室构造有以约１６２ＭＨｚ工作的电源；将处理气体供应到室中；使用１６２ＭＨｚ电源施加源功率；以...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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