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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。本发明能够防止在形成于Ｓｉ（１１０）衬底之上且具有硅化的源／漏区的ＮＭＩＳＦＥＴ中出现关态泄漏电流。所述半导体器件包括有Ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ（金属绝缘体半导体场效应晶体管），该Ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ形成在包...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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