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在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱结构的方法技术
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下载在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱结构的方法的技术资料
文档序号:3234824
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在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱(Split Well)结构的新型方法,有效地解决了分阱结构21与超高密度设计之间的矛盾。该方法利用杂质补偿原理,透过接触孔22进行高能量N型离子注入18和快速退火,在阱区7中央的底部形成分阱结构21。...
该专利属于成都方舟微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都方舟微电子有限公司授权不得商用。
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