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本发明提供了用于以相对于电介质块绝缘层的高选择性来刻蚀电介质阻挡层的方法。在一种实施例中，该方法包括：在反应器中提供衬底，衬底具有经过电介质块绝缘层而暴露的一部分电介质阻挡层；将包含Ｈ↓［２］的气体混合物流入反应器中；以及相对于电介质块绝缘...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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