温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种缺陷检测方法、存储器及其制作方法。该缺陷检测方法包括以下步骤：提供表面具有堆叠结构的半导体衬底，半导体衬底具有第一掺杂类型，堆叠结构中形成有贯穿至半导体衬底的沟道通孔，沟道通孔的底部形成有半导体层；将半导体层掺杂，以使半导体...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。