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本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底；栅极绝缘介电层，位于所述半导体衬底表面上；栅极，叠加在所述栅极绝缘介电层上表面；源极区域和漏极区域，设置在所述栅极两侧的半导体衬底表面区域中，所述源极区域和漏极区域由沟道区隔开；...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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