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本发明涉及一种包括碳化硅的半导体处理部件及其化学处理方法。该方法包括至少两个液体化学处理步骤，其中一个处理步骤将碳化硅转化成二氧化硅，另一个处理步骤去除二氧化硅。所述液体化学处理步骤通常在低于约１００℃温度时进行。进行所述方法所需要的时间段...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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