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本实用新型主要提出两种不同型态的完全空乏晶体管，并且将完全空乏晶体管与部分空乏晶体管整合于单一芯片上。可透过调整栅极层的长度，以决定平面晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的栅极层长度较部分空乏晶体管的栅极层长度为长。或是透过调整晶...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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