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本实用新型提供一种半导体电路，其包含有一半导体基材、一半导体元件具有一漏极区域设于半导体基材上，以及一相反型掺杂区域水平设置于漏极区域旁并与漏极区域相接，其中相反型掺杂区域具有与漏极相反的掺质类型，且其掺质浓度高于半导体基材，而相反型掺杂区...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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