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本发明公开一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导件技术领域，用于解决现有内侧墙对源漏间寄生电容的调控作用不明显，导致的源极和漏区之间的寄生电容过大的技术问题。所述半导体器件包括衬底，形成在所述衬底上的源区、漏区以及形成在所述源区和所...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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