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公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；形成在衬底的第一部分上方的第一晶体管，其中第一晶体管包括包含N个纳米片的第一纳米片堆叠；和位于衬底的第二部分上方的第二晶体管，其中第二晶体管包括包含M个纳米片的第二纳米片堆叠，其中N...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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