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本发明提供半导体装置的形成方法。本发明的方法包括接收含有半导体层的堆叠的工件；沉积第一垫氧化物层于堆叠的含锗顶层上；沉积第二垫氧化物层于第一垫氧化物层上；沉积垫氮化物层于第二垫氧化物层上；以及采用第一垫氧化物层、第二垫氧化物层、与垫氮化物层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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