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提供一种半导体结构及其制造方法。在一实施例中，半导体结构包括：一源极特征部件及一漏极特征部件、设置于源极特征部件与漏极特征部件之间的一通道结构、设置于通道结构及漏极特征部件上的一半导体层、设置于半导体层上的一介电层、设置于源极特征部件上并延...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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