温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型是关于一种具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构，此结构包括：一基底，其上设置有一绝缘层；多个半导体岛，分隔地设置于绝缘层上并部分遮蔽上述绝缘层；以及多个抗凹蚀区（ｒｅｃｅｓｓ－ｒｅｓｉｓｔａｎｔｒｅｇｉｏｎ），个别地设置于未为此些半导体岛...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。