温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构在半导体岛区（５４）和隔离内层（５０）之间具有渡越厚度小于１５００埃的高清晰度界面．为了生成这种结构，在复合外延层（５４）和Ｎ＋［＋］．内层（５０）上开槽（６２）．内层（５０）被在高压和低温条件下阳极化和氧化处理，以减少Ｎ杂质...
该专利属于德克萨斯仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。