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一种得到非常平滑的多晶硅１层／层间绝缘层／多晶硅２层的界面．本质上，多晶硅１层１８是无定形相的ＬＰＣＶＤ的沉积层和用注入掺杂的．这以后沉积一种适当的绝缘层２０，接着多晶硅１层１８在约１０００℃温度下重结晶．然后，用ＬＰＣＶＤ沉积多晶硅２层和...
该专利属于得克萨斯仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过得克萨斯仪器公司授权不得商用。

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