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本发明涉及一种具有高光电转换效率的Ｐ－Ｎ结硅光电二极管器件，其特点是在Ｐ－Ｎ结附近的上方或下方存在一具有高热稳定性的缺陷层。由于缺陷层能吸收更多的光而产生更多的光生载流子，从而使这种Ｐ－Ｎ结硅二极管产生更大的光生电流，实现高的光电转换效率，...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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