温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

用于半导体存储器件的ＴＦＴ，包括第一绝缘层１上形成的第一导电层２、覆盖在其上的第二绝缘层３，第二绝缘层内形成的开口４，在开口４中暴露第一导电层的表面及在第二绝缘层３上预定部分表面形成半导体层５，覆盖在半导体层５上的薄栅极绝缘层６，在其上形成...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。