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一种带有形成在单元晶体管上方、下方的电容器的半导体存储器件，它包含形成在第一层面的第一和第二晶体管、与第一晶体管相连且形成在第一层面下方的第一存储电极、以及与第二晶体管相连且形成在第一层面上方的第二存储电极。第一和第二存储电极经由各个源区侧...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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