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本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决过度刻蚀导致的不同栅极层中栅线短接的问题。半导体器件包括叠层结构，导电垫，耦接部和沿第一方向延伸的第一栅线触点。叠层结构具有台阶区，包括沿第一方向...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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