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半导体存储器件制造技术
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文档序号:3221901
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一种半导体存储器,包括一由双极晶体管构成的电流驱动晶体管,其连接到相应的位线以增加位线电流。该电流驱动晶体管的收集极由一个接地的阱构成,基极由二个相邻选行晶体管的公共漏区构成。其发射极是一与第一层间隔离层及第二层间隔离层分开排列的多晶硅层,...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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